碳化硅是典型的第三代半導(dǎo)體材料,應(yīng)用廣泛,近年來(lái)發(fā)展迅速。中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(13所)自2004年開(kāi)始對(duì)碳化硅材料、器件進(jìn)行工藝研究,與國(guó)際先進(jìn)水平同步。經(jīng)過(guò)多年的建設(shè)和發(fā)展,2017年,4英寸碳化硅電力電子工藝線正式實(shí)現(xiàn)批產(chǎn)供貨;為進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)能、對(duì)標(biāo)國(guó)際先進(jìn),2019年,產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(13所)采用改擴(kuò)建方式完成了碳化硅電力電子6英寸工藝線。
截至目前,6英寸碳化硅電力電子工藝線已穩(wěn)定生產(chǎn)供貨。期間通過(guò)不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能指標(biāo),產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(13所)技術(shù)團(tuán)隊(duì)又基于6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET產(chǎn)品開(kāi)發(fā),產(chǎn)品指標(biāo)均可對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌。
近年來(lái),電動(dòng)汽車市場(chǎng)快速增長(zhǎng),其中高壓碳化MOSFET作為電動(dòng)汽車主逆變器和車載充電器的核心元器件,市場(chǎng)需求量巨大。尤其是用于主逆變器的1200V/100A高壓、大電流碳化硅MOSFET芯片,代表了當(dāng)前碳化硅電力電子芯片技術(shù)的最高水平,全球范圍內(nèi)具備批量供貨能力的廠家屈指可數(shù)。
產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院(13所)經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積累和艱苦攻關(guān),突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),完成了車規(guī)級(jí)1200V/100A碳化硅MOSFET芯片產(chǎn)品批量生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)了多款產(chǎn)品的系列化,產(chǎn)品品質(zhì)得到了國(guó)內(nèi)多家車企的認(rèn)可。